DSU021N10NA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DSU021N10NA  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 300 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 143 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1524 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0019 Ohm

Encapsulados: TOLL

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DSU021N10NA datasheet

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DSU021N10NA

DSU021N10NA 300A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description This N-channel enhancement mode power MOSFET 2 D V = 100V DS utilizes advanced Split Gate Trench technology, which provides excellent Rdson and low Gate charge at the same R = 1.6m DS(on) (TYP) G time. Which accords with the RoHS standard. 1 I = 300A D 3 S 2 Features Low on resistance Low ga

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DSU021N10NA

DSU023N10N3 100V/2m /281A N-MOSFET Features Key Parameters VDS 100V Advanced SGT2 silicon technology utilized Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)typ. 2m ID 281A Low reverse transfer capacitances 100% single pulse avalanche energy test Vth 3V Ciss@10V 12750pF 100% VDS test Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Qgd 24.3nC Applications

 9.2. Size:1448K  cn wxdh
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DSU021N10NA

DSU024N10N3A 100V/1.8m /272A N-MOSFET Features Key Parameters VDS AEC-Q101 qualified 100V RDS(on)typ. Low on resistance 1.8m Low reverse transfer capacitances VTH 3V ID 100% single pulse avalanche energy test 272A Ciss@10V 100% VDS test 7035pF Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Qgd 27nC Applications Power switching applications

Otros transistores... DSP032N08NA, DSP037N08N3, DSP038N08NA, DSP051N10N, DSP060N04LA, DSP070N10L3A, DSU007N04NA, DSU011N08N3A, AO3400, DSU023N10N3, DSU024N10N3A, DSU035N10N3A, DSU035N14N3, DTD080N07N, DTE025N04NA, DHS031N07P, DHS035N10