DSU021N10NA datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: DSU021N10NA 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 300 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 143 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1524 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0019 Ohm
Тип корпуса: TOLL
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для DSU021N10NA
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
DSU021N10NA даташит
dsu021n10na.pdf
DSU021N10NA 300A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description This N-channel enhancement mode power MOSFET 2 D V = 100V DS utilizes advanced Split Gate Trench technology, which provides excellent Rdson and low Gate charge at the same R = 1.6m DS(on) (TYP) G time. Which accords with the RoHS standard. 1 I = 300A D 3 S 2 Features Low on resistance Low ga
dsu023n10n3.pdf
DSU023N10N3 100V/2m /281A N-MOSFET Features Key Parameters VDS 100V Advanced SGT2 silicon technology utilized Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)typ. 2m ID 281A Low reverse transfer capacitances 100% single pulse avalanche energy test Vth 3V Ciss@10V 12750pF 100% VDS test Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Qgd 24.3nC Applications
dsu024n10n3a.pdf
DSU024N10N3A 100V/1.8m /272A N-MOSFET Features Key Parameters VDS AEC-Q101 qualified 100V RDS(on)typ. Low on resistance 1.8m Low reverse transfer capacitances VTH 3V ID 100% single pulse avalanche energy test 272A Ciss@10V 100% VDS test 7035pF Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Qgd 27nC Applications Power switching applications
Другие IGBT... DSP032N08NA, DSP037N08N3, DSP038N08NA, DSP051N10N, DSP060N04LA, DSP070N10L3A, DSU007N04NA, DSU011N08N3A, AO3400, DSU023N10N3, DSU024N10N3A, DSU035N10N3A, DSU035N14N3, DTD080N07N, DTE025N04NA, DHS031N07P, DHS035N10
History: P2503BDG
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
irfp260n datasheet | irfp250m | 2sk1058 | ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06



