DTD080N07N Todos los transistores

 

DTD080N07N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DTD080N07N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 193 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET DTD080N07N

 

Principales características: DTD080N07N

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DTD080N07N

DTD080N07N 68V/7.2m /80A N-MOSFET Features Key Parameters VDS Low on resistance 68V RDS(on)typ. Low reverse transfer capacitances 7.2m ID 100% single pulse avalanche energy test 80A 100% VDS test Vth 3V Ciss@10V Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant 2859pF Qgd 19nC Applications Motor Control and Drive Charge/Discharge for Battery Manag

Otros transistores... DSP070N10L3A , DSU007N04NA , DSU011N08N3A , DSU021N10NA , DSU023N10N3 , DSU024N10N3A , DSU035N10N3A , DSU035N14N3 , IRFB4115 , DTE025N04NA , DHS031N07P , DHS035N10 , DHS035N10E , DHS035N88 , DHS035N88E , DHS035N88I , DHS045N88D .

 

 
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