DTD080N07N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DTD080N07N  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 68 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 193 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DTD080N07N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DTD080N07N даташит

 ..1. Size:1272K  cn wxdh
 dtd080n07n.pdf pdf_icon

DTD080N07N

DTD080N07N 68V/7.2m /80A N-MOSFET Features Key Parameters VDS Low on resistance 68V RDS(on)typ. Low reverse transfer capacitances 7.2m ID 100% single pulse avalanche energy test 80A 100% VDS test Vth 3V Ciss@10V Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant 2859pF Qgd 19nC Applications Motor Control and Drive Charge/Discharge for Battery Manag

Другие IGBT... DSP070N10L3A, DSU007N04NA, DSU011N08N3A, DSU021N10NA, DSU023N10N3, DSU024N10N3A, DSU035N10N3A, DSU035N14N3, IRFB4115, DTE025N04NA, DHS031N07P, DHS035N10, DHS035N10E, DHS035N88, DHS035N88E, DHS035N88I, DHS045N88D