DTD080N07N - аналоги и даташиты транзистора

 

DTD080N07N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DTD080N07N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 193 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для DTD080N07N

 

DTD080N07N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1272K  cn wxdh
 dtd080n07n.pdf pdf_icon

DTD080N07N

DTD080N07N 68V/7.2m /80A N-MOSFET Features Key Parameters VDS Low on resistance 68V RDS(on)typ. Low reverse transfer capacitances 7.2m ID 100% single pulse avalanche energy test 80A 100% VDS test Vth 3V Ciss@10V Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant 2859pF Qgd 19nC Applications Motor Control and Drive Charge/Discharge for Battery Manag

Другие MOSFET... DSP070N10L3A , DSU007N04NA , DSU011N08N3A , DSU021N10NA , DSU023N10N3 , DSU024N10N3A , DSU035N10N3A , DSU035N14N3 , IRFB4115 , DTE025N04NA , DHS031N07P , DHS035N10 , DHS035N10E , DHS035N88 , DHS035N88E , DHS035N88I , DHS045N88D .

 

 
Back to Top

 


 
.