Справочник MOSFET. DTD080N07N

 

DTD080N07N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DTD080N07N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 59 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 193 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для DTD080N07N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DTD080N07N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1272K  cn wxdh
 dtd080n07n.pdf pdf_icon

DTD080N07N

DTD080N07N 68V/7.2m/80A N-MOSFET Features Key ParametersVDS Low on resistance 68VRDS(on)typ. Low reverse transfer capacitances 7.2mID 100% single pulse avalanche energy test 80A 100% VDS test Vth 3VCiss@10V Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant 2859pFQgd 19nCApplications Motor Control and Drive Charge/Discharge for Battery Manag

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: DSU035N14N3

 

 
Back to Top

 


 
.