DTE025N04NA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DTE025N04NA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 215 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 220 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 127 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 768 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de DTE025N04NA MOSFET
DTE025N04NA Datasheet (PDF)
dte025n04na dtg025n04na.pdf

DTE025N04NA&DTG025N04NA220A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 40VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 2.1mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 220AD2 Features AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak
Otros transistores... DSU007N04NA , DSU011N08N3A , DSU021N10NA , DSU023N10N3 , DSU024N10N3A , DSU035N10N3A , DSU035N14N3 , DTD080N07N , IRFP250N , DHS031N07P , DHS035N10 , DHS035N10E , DHS035N88 , DHS035N88E , DHS035N88I , DHS045N88D , DHS045N88E .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: APG12N10D | AP90N06D | AP8P10S | AP80P01NF | AP80N08NF | AP80N08D | AP70N03DF | AP6G04S | AP50N06DF | AP3404MI | AP130N20MP | AP60N02BD | AP50N06Y | AP50N03S | AP4N06SI | AP3416AI
Popular searches
a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955 | tip35 | 2sk117 | irf9540n datasheet | ss8050