DTE025N04NA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DTE025N04NA  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 215 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 220 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 127 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 768 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm

Encapsulados: TO263

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DTE025N04NA datasheet

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DTE025N04NA

DTE025N04NA&DTG025N04NA 220A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 40V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 2.1m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 220A D 2 Features AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak

Otros transistores... DSU007N04NA, DSU011N08N3A, DSU021N10NA, DSU023N10N3, DSU024N10N3A, DSU035N10N3A, DSU035N14N3, DTD080N07N, 2N7000, DHS031N07P, DHS035N10, DHS035N10E, DHS035N88, DHS035N88E, DHS035N88I, DHS045N88D, DHS045N88E