DTE025N04NA Todos los transistores

 

DTE025N04NA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DTE025N04NA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 215 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 220 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 127 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 768 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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DTE025N04NA Datasheet (PDF)

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DTE025N04NA

DTE025N04NA&DTG025N04NA220A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 40VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 2.1mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 220AD2 Features AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak

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