DTE025N04NA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DTE025N04NA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 215 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 220 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 127 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 768 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DTE025N04NA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DTE025N04NA даташит

 ..1. Size:903K  cn wxdh
 dte025n04na dtg025n04na.pdf pdf_icon

DTE025N04NA

DTE025N04NA&DTG025N04NA 220A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 40V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 2.1m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 220A D 2 Features AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak

Другие IGBT... DSU007N04NA, DSU011N08N3A, DSU021N10NA, DSU023N10N3, DSU024N10N3A, DSU035N10N3A, DSU035N14N3, DTD080N07N, 2N7000, DHS031N07P, DHS035N10, DHS035N10E, DHS035N88, DHS035N88E, DHS035N88I, DHS045N88D, DHS045N88E