DTE025N04NA - аналоги и даташиты транзистора

 

DTE025N04NA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DTE025N04NA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 215 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 220 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 127 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 768 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для DTE025N04NA

 

DTE025N04NA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:903K  cn wxdh
 dte025n04na dtg025n04na.pdf pdf_icon

DTE025N04NA

DTE025N04NA&DTG025N04NA 220A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 40V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 2.1m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 220A D 2 Features AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak

Другие MOSFET... DSU007N04NA , DSU011N08N3A , DSU021N10NA , DSU023N10N3 , DSU024N10N3A , DSU035N10N3A , DSU035N14N3 , DTD080N07N , 2N7000 , DHS031N07P , DHS035N10 , DHS035N10E , DHS035N88 , DHS035N88E , DHS035N88I , DHS045N88D , DHS045N88E .

History: DSU007N04NA | DSP060N04LA

 

 
Back to Top

 


 
.