DSG028N10NA Todos los transistores

 

DSG028N10NA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DSG028N10NA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 169 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1470 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET DSG028N10NA

 

Principales características: DSG028N10NA

 ..1. Size:947K  cn wxdh
 dse026n10na dsg028n10na.pdf pdf_icon

DSG028N10NA

DSE026N10NA&DSG028N10NA 180A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description This N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 100V DSS advanced splite gate trench technology design, provided R = 2.4m T0-220 DS(on) (TYP) excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G the RoHS standard. R = 2.2m T0-263 DS(on) (TYP) 1 3 S I = 180A D 2

 9.1. Size:1551K  cn wxdh
 dse022n10n3 dsg024n10n3.pdf pdf_icon

DSG028N10NA

DSE022N10N3&DSG024N10N3 100V/1.7m /240A N-MOSFET Features Key Parameters VDS Low on resistance 100V RDS(on)typ. TO-263 Low reverse transfer capacitances 1.7m RDS(on)typ. TO-220 100% single pulse avalanche energy test 1.9m 100% VDS test VTH 3V ID Silicon limit Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant 364A ID Package limit 240A

Otros transistores... DHS045N88F , DHS045N88I , DHS045N98 , DHS045N98B , DHS045N98D , DHS045N98E , DHS045N98F , DHS045N98I , 4435 , DSG030N10N3 , DSG041N08NA , DSG045N14N , DSG047N08N3 , DSG048N08N3 , DSG052N14N , DSG053N08N3 , DSG054N10N3 .

History: DSG070N10L3

 

 
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