DSG028N10NA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DSG028N10NA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 169 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1470 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для DSG028N10NA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSG028N10NA даташит

 ..1. Size:947K  cn wxdh
 dse026n10na dsg028n10na.pdf pdf_icon

DSG028N10NA

DSE026N10NA&DSG028N10NA 180A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description This N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 100V DSS advanced splite gate trench technology design, provided R = 2.4m T0-220 DS(on) (TYP) excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G the RoHS standard. R = 2.2m T0-263 DS(on) (TYP) 1 3 S I = 180A D 2

 9.1. Size:1551K  cn wxdh
 dse022n10n3 dsg024n10n3.pdf pdf_icon

DSG028N10NA

DSE022N10N3&DSG024N10N3 100V/1.7m /240A N-MOSFET Features Key Parameters VDS Low on resistance 100V RDS(on)typ. TO-263 Low reverse transfer capacitances 1.7m RDS(on)typ. TO-220 100% single pulse avalanche energy test 1.9m 100% VDS test VTH 3V ID Silicon limit Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant 364A ID Package limit 240A

Другие IGBT... DHS045N88F, DHS045N88I, DHS045N98, DHS045N98B, DHS045N98D, DHS045N98E, DHS045N98F, DHS045N98I, 4435, DSG030N10N3, DSG041N08NA, DSG045N14N, DSG047N08N3, DSG048N08N3, DSG052N14N, DSG053N08N3, DSG054N10N3