DSG030N10N3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DSG030N10N3  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 170 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2710 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm

Encapsulados: TO220

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DSG030N10N3 datasheet

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 dsg030n10n3 dse028n10n3.pdf pdf_icon

DSG030N10N3

DSG030N10N3/DSE028N10N3 170A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used V = 100V DSS advanced splite gate trench technology design, provided 2 D excellent Rdson and low gate charge. Which accords with R = 2.6m TO-220 DS(on) (TYP) the RoHS standard. G R = 2.4m TO-263 DS(on) (TYP) 1 2 Features 3

Otros transistores... DHS045N88I, DHS045N98, DHS045N98B, DHS045N98D, DHS045N98E, DHS045N98F, DHS045N98I, DSG028N10NA, SPP20N60C3, DSG041N08NA, DSG045N14N, DSG047N08N3, DSG048N08N3, DSG052N14N, DSG053N08N3, DSG054N10N3, DSG059N15NA