DSG030N10N3 - аналоги и даташиты транзистора

 

DSG030N10N3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DSG030N10N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 170 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2710 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для DSG030N10N3

 

DSG030N10N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1192K  cn wxdh
 dsg030n10n3 dse028n10n3.pdf pdf_icon

DSG030N10N3

DSG030N10N3/DSE028N10N3 170A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used V = 100V DSS advanced splite gate trench technology design, provided 2 D excellent Rdson and low gate charge. Which accords with R = 2.6m TO-220 DS(on) (TYP) the RoHS standard. G R = 2.4m TO-263 DS(on) (TYP) 1 2 Features 3

Другие MOSFET... DHS045N88I , DHS045N98 , DHS045N98B , DHS045N98D , DHS045N98E , DHS045N98F , DHS045N98I , DSG028N10NA , SPP20N60C3 , DSG041N08NA , DSG045N14N , DSG047N08N3 , DSG048N08N3 , DSG052N14N , DSG053N08N3 , DSG054N10N3 , DSG059N15NA .

 

 
Back to Top

 


 
.