Справочник MOSFET. DSG030N10N3

 

DSG030N10N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DSG030N10N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 170 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2710 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для DSG030N10N3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSG030N10N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1192K  cn wxdh
 dsg030n10n3 dse028n10n3.pdf pdf_icon

DSG030N10N3

DSG030N10N3/DSE028N10N3170A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets usedV = 100VDSSadvanced splite gate trench technology design, provided2 Dexcellent Rdson and low gate charge. Which accords withR = 2.6mTO-220DS(on) (TYP)the RoHS standard.GR = 2.4mTO-263DS(on) (TYP)12 Features 3

Другие MOSFET... DHS045N88I , DHS045N98 , DHS045N98B , DHS045N98D , DHS045N98E , DHS045N98F , DHS045N98I , DSG028N10NA , AON7410 , DSG041N08NA , DSG045N14N , DSG047N08N3 , DSG048N08N3 , DSG052N14N , DSG053N08N3 , DSG054N10N3 , DSG059N15NA .

 

 
Back to Top

 


 
.