DSG070N10L3 Todos los transistores

 

DSG070N10L3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DSG070N10L3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 713 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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DSG070N10L3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1284K  cn wxdh
 dsg070n10l3.pdf pdf_icon

DSG070N10L3

DSG070N10L3100V/5.9m/100A N-MOSFETFeatures Key Parameters Low on resistance VDS 100V Low reverse transfer capacitances RDS(on)typ. 5.9m 100% single pulse avalanche energy test ID 100A 100% VDS test Vth 1.7V Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Ciss@10V 2690pFQgd 12nCApplications Motor Control and Drive Charge/Discharge for Battery Mana

 6.1. Size:855K  cn wxdh
 dsg070n15na.pdf pdf_icon

DSG070N10L3

DSG070N15NA140A 150V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 Description2 DV =150VDSSThis N-channel enhancement mode power MOSFETutilizes advanced Split Gate Trench technology, whichGR = 5.9mDS(on) (TYP)provides excellent Rdson and low Gate charge at the same1time. Which accords with the RoHS standard.3 SI = 140AD2 Features Low on resistance Low ga

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