Справочник MOSFET. DSG070N10L3

 

DSG070N10L3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DSG070N10L3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 713 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для DSG070N10L3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSG070N10L3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1284K  cn wxdh
 dsg070n10l3.pdf pdf_icon

DSG070N10L3

DSG070N10L3100V/5.9m/100A N-MOSFETFeatures Key Parameters Low on resistance VDS 100V Low reverse transfer capacitances RDS(on)typ. 5.9m 100% single pulse avalanche energy test ID 100A 100% VDS test Vth 1.7V Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Ciss@10V 2690pFQgd 12nCApplications Motor Control and Drive Charge/Discharge for Battery Mana

 6.1. Size:855K  cn wxdh
 dsg070n15na.pdf pdf_icon

DSG070N10L3

DSG070N15NA140A 150V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 Description2 DV =150VDSSThis N-channel enhancement mode power MOSFETutilizes advanced Split Gate Trench technology, whichGR = 5.9mDS(on) (TYP)provides excellent Rdson and low Gate charge at the same1time. Which accords with the RoHS standard.3 SI = 140AD2 Features Low on resistance Low ga

Другие MOSFET... DSG041N08NA , DSG045N14N , DSG047N08N3 , DSG048N08N3 , DSG052N14N , DSG053N08N3 , DSG054N10N3 , DSG059N15NA , IRLZ44N , DSG070N15NA , DSG108N20NA , DSG140N12N3 , DSG270N12N3 , DSN108N20N , DHS025N88E , DHS025N88F , DHS025N88I .

 

 
Back to Top

 


 
.