DSN108N20N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DSN108N20N  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 333 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 72 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 367 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm

Encapsulados: TO3PN

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DSN108N20N datasheet

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DSN108N20N

DSN108N20N 200V/11m /110A N-MOSFET Features Key Parameters VDS Low on resistance 200V RDS(on)typ. Low reverse transfer capacitances 11m ID 100% single pulse avalanche energy test 110A Ciss@10V 100% VDS test 4260pF Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Qgd 9nC Applications Power switching applications DC-DC converters Full bridge co

Otros transistores... DSG053N08N3, DSG054N10N3, DSG059N15NA, DSG070N10L3, DSG070N15NA, DSG108N20NA, DSG140N12N3, DSG270N12N3, STP80NF70, DHS025N88E, DHS025N88F, DHS025N88I, DHS030N88, DHS030N88E, DHS030N88F, DHS030N88I, DHS046N10