Справочник MOSFET. DSN108N20N

 

DSN108N20N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DSN108N20N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 367 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN
 

 Аналог (замена) для DSN108N20N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSN108N20N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1449K  cn wxdh
 dsn108n20n.pdf pdf_icon

DSN108N20N

DSN108N20N 200V/11m/110A N-MOSFET Features Key ParametersVDS Low on resistance 200VRDS(on)typ. Low reverse transfer capacitances 11mID 100% single pulse avalanche energy test 110ACiss@10V 100% VDS test 4260pF Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Qgd 9nCApplications Power switching applications DC-DC converters Full bridge co

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , 7N65 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.