DSN108N20N - описание и поиск аналогов

 

DSN108N20N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DSN108N20N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 367 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: TO3PN

Аналог (замена) для DSN108N20N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSN108N20N даташит

 ..1. Size:1449K  cn wxdh
 dsn108n20n.pdf pdf_icon

DSN108N20N

DSN108N20N 200V/11m /110A N-MOSFET Features Key Parameters VDS Low on resistance 200V RDS(on)typ. Low reverse transfer capacitances 11m ID 100% single pulse avalanche energy test 110A Ciss@10V 100% VDS test 4260pF Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Qgd 9nC Applications Power switching applications DC-DC converters Full bridge co

Другие MOSFET... DSG053N08N3 , DSG054N10N3 , DSG059N15NA , DSG070N10L3 , DSG070N15NA , DSG108N20NA , DSG140N12N3 , DSG270N12N3 , STP80NF70 , DHS025N88E , DHS025N88F , DHS025N88I , DHS030N88 , DHS030N88E , DHS030N88F , DHS030N88I , DHS046N10 .

History: SI7601DN | NVTFS6H860N

 

 

 


 
↑ Back to Top
.