FQU5P20 Todos los transistores

 

FQU5P20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQU5P20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251 IPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

FQU5P20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:657K  fairchild semi
 fqd5p20tf fqd5p20tm fqd5p20 fqu5p20 fqu5p20tu.pdf pdf_icon

FQU5P20

October 2008QFETFQD5P20 / FQU5P20200V P-Channel MOSFETFeaturesGeneral Description -3.7A, -200V, RDS(on) = 1.4 @VGS = -10 VThese P-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 10 nC)transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low Crss ( typical 12 pF)planar stripe, DMOS technology. Fast switchingThis advanced techn

 9.1. Size:705K  fairchild semi
 fqd5p10tf fqd5p10tm fqd5p10 fqu5p10.pdf pdf_icon

FQU5P20

October 2008QFETFQD5P10 / FQU5P10 100V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -3.6A, -100V, RDS(on) = 1.05 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.3 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 18 pF)This advanced technology has been espec

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: AONS36316 | IRFR120TR | STP5N62K3 | MRF5003 | RQK0608BQDQS | 4N65KG-T60-K

 

 
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