FQU5P20 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

FQU5P20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQU5P20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: TO251 IPAK

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FQU5P20 datasheet

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October 2008 QFET FQD5P20 / FQU5P20 200V P-Channel MOSFET Features General Description -3.7A, -200V, RDS(on) = 1.4 @VGS = -10 V These P-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 10 nC) transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low Crss ( typical 12 pF) planar stripe, DMOS technology. Fast switching This advanced techn

9.1. Size:705K fairchild semi
fqd5p10tf fqd5p10tm fqd5p10 fqu5p10.pdf pdf_icon

October 2008 QFET FQD5P10 / FQU5P10 100V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -3.6A, -100V, RDS(on) = 1.05 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 6.3 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 18 pF) This advanced technology has been espec

Otros transistores... FDMC8030, FQU2N90TUAM002, FQU3N50C, FQU4N50TUWS, FQU5N40, FDMC7582, FQU5N60C, FDMQ8403, IRFP250N, FQU8P10, FQU9N25, HUF75542P3, HUF75631S3S, FDB86135, HUF75639S3, FDD86252, HUF75842P3

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