Справочник MOSFET. FQU5P20

 

FQU5P20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQU5P20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO251 IPAK
 

 Аналог (замена) для FQU5P20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQU5P20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:657K  fairchild semi
 fqd5p20tf fqd5p20tm fqd5p20 fqu5p20 fqu5p20tu.pdf pdf_icon

FQU5P20

October 2008QFETFQD5P20 / FQU5P20200V P-Channel MOSFETFeaturesGeneral Description -3.7A, -200V, RDS(on) = 1.4 @VGS = -10 VThese P-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 10 nC)transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low Crss ( typical 12 pF)planar stripe, DMOS technology. Fast switchingThis advanced techn

 9.1. Size:705K  fairchild semi
 fqd5p10tf fqd5p10tm fqd5p10 fqu5p10.pdf pdf_icon

FQU5P20

October 2008QFETFQD5P10 / FQU5P10 100V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -3.6A, -100V, RDS(on) = 1.05 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.3 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 18 pF)This advanced technology has been espec

Другие MOSFET... FDMC8030 , FQU2N90TUAM002 , FQU3N50C , FQU4N50TUWS , FQU5N40 , FDMC7582 , FQU5N60C , FDMQ8403 , AON7408 , FQU8P10 , FQU9N25 , HUF75542P3 , HUF75631S3S , FDB86135 , HUF75639S3 , FDD86252 , HUF75842P3 .

History: WMO16N70SR | MS5N100FE | MTP3055VL | NTMS4705NR2G | FQAF17N40 | FCH077N65FF085 | IXFK24N100

 

 
Back to Top

 


 
.