DSE043N14N Todos los transistores

 

DSE043N14N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DSE043N14N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 135 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 108 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 630 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0043 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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DSE043N14N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1037K  cn wxdh
 dse043n14n dsg045n14n.pdf pdf_icon

DSE043N14N

DSE043N14N&DSG045N14N180A 135V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 Description2 D V =135VDSSThis N-channel enhancement mode power MOSFETutilizes advanced Split Gate Trench technology, whichR =3.7mTO-263DS(on) (TYP)Gprovides excellent Rdson and low Gate charge at the same1R =3.9mTO-220DS(on) (TYP)time. Which accords with the RoHS standard.3 SI

 9.1. Size:1084K  cn wxdh
 dsg047n08n3 dse047n08n3.pdf pdf_icon

DSE043N14N

DSG047N08N3&DSE047N08N3120A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThis N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 80VDSSadvanced splite gate trench technology design, providedR = 3.9mT0-220DS(on) (TYP)excellent Rdson and low gate charge. Which accords withGthe RoHS standard. R = 3.7mT0-263DS(on) (TYP)13 SI = 120AD2 F

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: DSG014N04N

 

 
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