DSE043N14N - описание и поиск аналогов

 

DSE043N14N - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DSE043N14N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 135 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0043 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для DSE043N14N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSE043N14N технические параметры

 ..1. Size:1037K  cn wxdh
 dse043n14n dsg045n14n.pdf pdf_icon

DSE043N14N

DSE043N14N&DSG045N14N 180A 135V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description 2 D V =135V DSS This N-channel enhancement mode power MOSFET utilizes advanced Split Gate Trench technology, which R =3.7m TO-263 DS(on) (TYP) G provides excellent Rdson and low Gate charge at the same 1 R =3.9m TO-220 DS(on) (TYP) time. Which accords with the RoHS standard. 3 S I

 9.1. Size:1084K  cn wxdh
 dsg047n08n3 dse047n08n3.pdf pdf_icon

DSE043N14N

DSG047N08N3&DSE047N08N3 120A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description This N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 80V DSS advanced splite gate trench technology design, provided R = 3.9m T0-220 DS(on) (TYP) excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G the RoHS standard. R = 3.7m T0-263 DS(on) (TYP) 1 3 S I = 120A D 2 F

Другие MOSFET... DHS046N10F , DHS046N10I , DHS051N10P , DHS052N10 , DHS052N10B , DSE026N10N3A , DSE026N10NA , DSE028N10N3 , 2N60 , DSE047N08N3 , DSE050N14N , DSE051N08N3 , DSE054N10N3 , DSE058N15NA , DSE065N10L3A , DSE108N20NA , DSE140N12N3 .

 

 
Back to Top

 


 
.