DSE108N20NA Todos los transistores

 

DSE108N20NA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DSE108N20NA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 333 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 72 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 367 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

DSE108N20NA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1305K  cn wxdh
 dse108n20na.pdf pdf_icon

DSE108N20NA

DSE108N20NA 200V/11m/110A N-MOSFET Features Key ParametersVDS AEC-Q101 qualified 200VRDS(on)typ. Low on resistance 11mID Low reverse transfer capacitances 110ACiss@10V 100% single pulse avalanche energy test 4260pF 100% VDS test Qgd 9nC Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliantApplications Power switching applications DC-DC conve

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