DSE108N20NA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DSE108N20NA  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 333 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 72 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 367 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm

Encapsulados: TO263

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DSE108N20NA datasheet

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DSE108N20NA

DSE108N20NA 200V/11m /110A N-MOSFET Features Key Parameters VDS AEC-Q101 qualified 200V RDS(on)typ. Low on resistance 11m ID Low reverse transfer capacitances 110A Ciss@10V 100% single pulse avalanche energy test 4260pF 100% VDS test Qgd 9nC Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Applications Power switching applications DC-DC conve

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