Справочник MOSFET. DSE108N20NA

 

DSE108N20NA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DSE108N20NA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 57 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 367 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для DSE108N20NA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSE108N20NA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1305K  cn wxdh
 dse108n20na.pdf pdf_icon

DSE108N20NA

DSE108N20NA 200V/11m/110A N-MOSFET Features Key ParametersVDS AEC-Q101 qualified 200VRDS(on)typ. Low on resistance 11mID Low reverse transfer capacitances 110ACiss@10V 100% single pulse avalanche energy test 4260pF 100% VDS test Qgd 9nC Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliantApplications Power switching applications DC-DC conve

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.