DSE108N20NA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DSE108N20NA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 367 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DSE108N20NA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSE108N20NA даташит

 ..1. Size:1305K  cn wxdh
 dse108n20na.pdf pdf_icon

DSE108N20NA

DSE108N20NA 200V/11m /110A N-MOSFET Features Key Parameters VDS AEC-Q101 qualified 200V RDS(on)typ. Low on resistance 11m ID Low reverse transfer capacitances 110A Ciss@10V 100% single pulse avalanche energy test 4260pF 100% VDS test Qgd 9nC Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Applications Power switching applications DC-DC conve

Другие IGBT... DSE028N10N3, DSE043N14N, DSE047N08N3, DSE050N14N, DSE051N08N3, DSE054N10N3, DSE058N15NA, DSE065N10L3A, IRF1405, DSE140N12N3, DSE270N12N3, DSG014N04N, DSG019N04L, DSG024N10N3, DHS052N10D, DHS052N10E, DHS052N10F