DSG019N04L Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DSG019N04L  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2384 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0019 Ohm

Encapsulados: TO220

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DSG019N04L datasheet

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DSG019N04L

DSG019N04L 40V/1.6m /180A N-MOSFET Features Key Parameters Extremely low on-resistance RDS(on) VDS 40V RDS(on)typ. Low reverse transfer capacitances 1.6m ID Silicon Limit 100% single pulse avalanche energy test 261A ID Package Limit 100% VDS test 180A Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Vth 1.6V Ciss@10V 5275pF Qgd 7.3nC Applicatio

 9.1. Size:1297K  cn wxdh
 dsg014n04n.pdf pdf_icon

DSG019N04L

DSG014N04N 40V/1.3m /200A N-MOSFET Features Key Parameters Low on resistance VDS 40V Low reverse transfer capacitances RDS(on)typ. 1.3m 100% single pulse avalanche energy test ID (Silicon limit) 400A 100% VDS test ID (Package limit) 200A Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Vth 2.9V Ciss@10V 9669pF Applications Qgd 11.5nC Motor Control and Drive

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