DSG019N04L Todos los transistores

 

DSG019N04L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DSG019N04L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2384 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0019 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de DSG019N04L MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

DSG019N04L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1665K  cn wxdh
 dsg019n04l.pdf pdf_icon

DSG019N04L

DSG019N04L 40V/1.6m/180A N-MOSFET Features Key Parameters Extremely low on-resistance RDS(on) VDS40VRDS(on)typ. Low reverse transfer capacitances 1.6mIDSilicon Limit 100% single pulse avalanche energy test 261AIDPackage Limit 100% VDS test 180A Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Vth 1.6VCiss@10V5275pFQgd 7.3nCApplicatio

 9.1. Size:1297K  cn wxdh
 dsg014n04n.pdf pdf_icon

DSG019N04L

DSG014N04N40V/1.3m/200A N-MOSFETFeatures Key Parameters Low on resistance VDS 40V Low reverse transfer capacitances RDS(on)typ. 1.3m 100% single pulse avalanche energy test ID (Silicon limit) 400A 100% VDS test ID (Package limit) 200A Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Vth 2.9VCiss@10V 9669pFApplications Qgd 11.5nC Motor Control and Drive

Otros transistores... DSE051N08N3 , DSE054N10N3 , DSE058N15NA , DSE065N10L3A , DSE108N20NA , DSE140N12N3 , DSE270N12N3 , DSG014N04N , IRF1405 , DSG024N10N3 , DHS052N10D , DHS052N10E , DHS052N10F , DHS052N10I , DHS052N10P , DHS055N07 , DHS055N07B .

 

 
Back to Top

 


 
.