DSG019N04L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DSG019N04L  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2384 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0019 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DSG019N04L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSG019N04L даташит

 ..1. Size:1665K  cn wxdh
 dsg019n04l.pdf pdf_icon

DSG019N04L

DSG019N04L 40V/1.6m /180A N-MOSFET Features Key Parameters Extremely low on-resistance RDS(on) VDS 40V RDS(on)typ. Low reverse transfer capacitances 1.6m ID Silicon Limit 100% single pulse avalanche energy test 261A ID Package Limit 100% VDS test 180A Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Vth 1.6V Ciss@10V 5275pF Qgd 7.3nC Applicatio

 9.1. Size:1297K  cn wxdh
 dsg014n04n.pdf pdf_icon

DSG019N04L

DSG014N04N 40V/1.3m /200A N-MOSFET Features Key Parameters Low on resistance VDS 40V Low reverse transfer capacitances RDS(on)typ. 1.3m 100% single pulse avalanche energy test ID (Silicon limit) 400A 100% VDS test ID (Package limit) 200A Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Vth 2.9V Ciss@10V 9669pF Applications Qgd 11.5nC Motor Control and Drive

Другие IGBT... DSE051N08N3, DSE054N10N3, DSE058N15NA, DSE065N10L3A, DSE108N20NA, DSE140N12N3, DSE270N12N3, DSG014N04N, IRF830, DSG024N10N3, DHS052N10D, DHS052N10E, DHS052N10F, DHS052N10I, DHS052N10P, DHS055N07, DHS055N07B