DSG024N10N3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DSG024N10N3  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 240 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3463 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0022 Ohm

Encapsulados: TO220

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DSG024N10N3 datasheet

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DSG024N10N3

DSE022N10N3&DSG024N10N3 100V/1.7m /240A N-MOSFET Features Key Parameters VDS Low on resistance 100V RDS(on)typ. TO-263 Low reverse transfer capacitances 1.7m RDS(on)typ. TO-220 100% single pulse avalanche energy test 1.9m 100% VDS test VTH 3V ID Silicon limit Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant 364A ID Package limit 240A

 9.1. Size:947K  cn wxdh
 dse026n10na dsg028n10na.pdf pdf_icon

DSG024N10N3

DSE026N10NA&DSG028N10NA 180A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description This N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 100V DSS advanced splite gate trench technology design, provided R = 2.4m T0-220 DS(on) (TYP) excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G the RoHS standard. R = 2.2m T0-263 DS(on) (TYP) 1 3 S I = 180A D 2

Otros transistores... DSE054N10N3, DSE058N15NA, DSE065N10L3A, DSE108N20NA, DSE140N12N3, DSE270N12N3, DSG014N04N, DSG019N04L, IRLB3034, DHS052N10D, DHS052N10E, DHS052N10F, DHS052N10I, DHS052N10P, DHS055N07, DHS055N07B, DHS055N07D