DSG024N10N3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DSG024N10N3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 240 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3463 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DSG024N10N3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSG024N10N3 даташит

 ..1. Size:1551K  cn wxdh
 dse022n10n3 dsg024n10n3.pdf pdf_icon

DSG024N10N3

DSE022N10N3&DSG024N10N3 100V/1.7m /240A N-MOSFET Features Key Parameters VDS Low on resistance 100V RDS(on)typ. TO-263 Low reverse transfer capacitances 1.7m RDS(on)typ. TO-220 100% single pulse avalanche energy test 1.9m 100% VDS test VTH 3V ID Silicon limit Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant 364A ID Package limit 240A

 9.1. Size:947K  cn wxdh
 dse026n10na dsg028n10na.pdf pdf_icon

DSG024N10N3

DSE026N10NA&DSG028N10NA 180A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description This N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 100V DSS advanced splite gate trench technology design, provided R = 2.4m T0-220 DS(on) (TYP) excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G the RoHS standard. R = 2.2m T0-263 DS(on) (TYP) 1 3 S I = 180A D 2

Другие IGBT... DSE054N10N3, DSE058N15NA, DSE065N10L3A, DSE108N20NA, DSE140N12N3, DSE270N12N3, DSG014N04N, DSG019N04L, IRLB3034, DHS052N10D, DHS052N10E, DHS052N10F, DHS052N10I, DHS052N10P, DHS055N07, DHS055N07B, DHS055N07D