F50N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F50N20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 38.9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 394 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.051 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de F50N20 MOSFET
F50N20 Datasheet (PDF)
f50n20.pdf
F50N2050A 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionF50N20,the silicon N-channel enhanced vdmosfets, is2 DV = 200VDSSobtained by the self-aligned planar technology which reducethe conduction loss, improve switching performance andR = 42mDS(on) (TYP)Genhance the avalanche energy. Which accords with the1RoHS standard.I = 50A3 S D2 Features F
Otros transistores... DHSJ21N65Z , DHSJ25N65F , DSE012N04NA , DSE022N10N3 , F4N60 , F4N65 , F4N70 , F50N06 , IRFP250N , F5N65C , F5N80 , F630 , F640 , F6N90 , F740 , F7N60 , F7N70 .
History: F640 | F5N80 | F4N60 | 6N60KG-TND-R | 6N60KL-TMS-T
History: F640 | F5N80 | F4N60 | 6N60KG-TND-R | 6N60KL-TMS-T
Liste
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