F50N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F50N20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 38.9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 394 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.051 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de F50N20 MOSFET
F50N20 PDF Specs
f50n20.pdf
F50N20 50A 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description F50N20,the silicon N-channel enhanced vdmosfets, is 2 D V = 200V DSS obtained by the self-aligned planar technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and R = 42m DS(on) (TYP) G enhance the avalanche energy. Which accords with the 1 RoHS standard. I = 50A 3 S D 2 Features F... See More ⇒
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Liste
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