F50N20 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: F50N20  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 38.9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 394 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.051 Ohm

Encapsulados: TO220F

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F50N20 datasheet

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F50N20

F50N20 50A 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description F50N20,the silicon N-channel enhanced vdmosfets, is 2 D V = 200V DSS obtained by the self-aligned planar technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and R = 42m DS(on) (TYP) G enhance the avalanche energy. Which accords with the 1 RoHS standard. I = 50A 3 S D 2 Features F

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