F50N20 - описание и поиск аналогов

 

F50N20. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: F50N20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 394 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.051 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для F50N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

F50N20 даташит

 ..1. Size:904K  cn wxdh
 f50n20.pdf pdf_icon

F50N20

F50N20 50A 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description F50N20,the silicon N-channel enhanced vdmosfets, is 2 D V = 200V DSS obtained by the self-aligned planar technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and R = 42m DS(on) (TYP) G enhance the avalanche energy. Which accords with the 1 RoHS standard. I = 50A 3 S D 2 Features F

 0.1. Size:164K  ssdi
 sff50n20b.pdf pdf_icon

F50N20

 0.2. Size:147K  ssdi
 sff50n20.pdf pdf_icon

F50N20

 0.3. Size:188K  ssdi
 sff50n20n sff50n20p.pdf pdf_icon

F50N20

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... DHSJ21N65Z , DHSJ25N65F , DSE012N04NA , DSE022N10N3 , F4N60 , F4N65 , F4N70 , F50N06 , IRFB4115 , F5N65C , F5N80 , F630 , F640 , F6N90 , F740 , F7N60 , F7N70 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.