F50N20 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: F50N20
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 49.4 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 38.9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 394 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.051 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для F50N20
F50N20 Datasheet (PDF)
..1. Size:904K cn wxdh
f50n20.pdf
f50n20.pdf
F50N2050A 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionF50N20,the silicon N-channel enhanced vdmosfets, is2 DV = 200VDSSobtained by the self-aligned planar technology which reducethe conduction loss, improve switching performance andR = 42mDS(on) (TYP)Genhance the avalanche energy. Which accords with the1RoHS standard.I = 50A3 S D2 Features F
Другие MOSFET... DHSJ21N65Z , DHSJ25N65F , DSE012N04NA , DSE022N10N3 , F4N60 , F4N65 , F4N70 , F50N06 , AON6414A , F5N65C , F5N80 , F630 , F640 , F6N90 , F740 , F7N60 , F7N70 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ10N65P | APJ10N65T | APJ10N65F | AP65R950 | APJ10N65D | APG80N10T | APG80N10P | APG80N10NF | APG60N10T | APG60N10P | AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T
Popular searches
2n3565 equivalent | 10n60 | 2sc1061 | a1023 | d313 transistor | 2sa1302 | 2sd315 | a1013