F50N20 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги F50N20. Основные параметры


   Наименование производителя: F50N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 38.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 394 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.051 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для F50N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

F50N20 даташит

 ..1. Size:904K  cn wxdh
 f50n20.pdf pdf_icon

F50N20

F50N20 50A 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description F50N20,the silicon N-channel enhanced vdmosfets, is 2 D V = 200V DSS obtained by the self-aligned planar technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and R = 42m DS(on) (TYP) G enhance the avalanche energy. Which accords with the 1 RoHS standard. I = 50A 3 S D 2 Features F

 0.1. Size:164K  ssdi
 sff50n20b.pdf pdf_icon

F50N20

 0.2. Size:147K  ssdi
 sff50n20.pdf pdf_icon

F50N20

 0.3. Size:188K  ssdi
 sff50n20n sff50n20p.pdf pdf_icon

F50N20

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... DHSJ21N65Z , DHSJ25N65F , DSE012N04NA , DSE022N10N3 , F4N60 , F4N65 , F4N70 , F50N06 , IRFB4115 , F5N65C , F5N80 , F630 , F640 , F6N90 , F740 , F7N60 , F7N70 .

 

 
Back to Top

 


 
.