FN6005 Todos los transistores

 

FN6005 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FN6005
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1624 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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Principales características: FN6005

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 n6005 fn6005 in6005 en6005 n6005d n6005b.pdf pdf_icon

FN6005

N6005/FN6005/IN6005 EN6005/N6005D/N6005B 180A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 60V DSS advanced Splite gate technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G R = 2.2m DS(on) (TYP) 1 the RoHS standard. 3 S I = 180A D 2 Features Fast switching Low o

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