FN6005 Todos los transistores

 

FN6005 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FN6005
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1624 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de FN6005 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FN6005 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1196K  cn wxdh
 n6005 fn6005 in6005 en6005 n6005d n6005b.pdf pdf_icon

FN6005

N6005/FN6005/IN6005EN6005/N6005D/N6005B180A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 60VDSSadvanced Splite gate technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords with GR = 2.2mDS(on) (TYP)1the RoHS standard.3 SI = 180AD2 Features Fast switching Low o

Otros transistores... F7N60 , F7N70 , F7N80 , F80N06 , F8N50 , F8N60 , F8N65 , FD120N10ZR , AO3400 , I110N04 , I20N50 , I25N10 , I50N06 , I630 , I640 , I740 , I80N06 .

 

 
Back to Top

 


 
.