FN6005. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FN6005

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1624 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для FN6005

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FN6005 даташит

 ..1. Size:1196K  cn wxdh
 n6005 fn6005 in6005 en6005 n6005d n6005b.pdf pdf_icon

FN6005

N6005/FN6005/IN6005 EN6005/N6005D/N6005B 180A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 60V DSS advanced Splite gate technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G R = 2.2m DS(on) (TYP) 1 the RoHS standard. 3 S I = 180A D 2 Features Fast switching Low o

Другие IGBT... F7N60, F7N70, F7N80, F80N06, F8N50, F8N60, F8N65, FD120N10ZR, AO3401, I110N04, I20N50, I25N10, I50N06, I630, I640, I740, I80N06