FN6005 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FN6005
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 67 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1624 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
Тип корпуса: TO220F
FN6005 Datasheet (PDF)
n6005 fn6005 in6005 en6005 n6005d n6005b.pdf

N6005/FN6005/IN6005EN6005/N6005D/N6005B180A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 60VDSSadvanced Splite gate technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords with GR = 2.2mDS(on) (TYP)1the RoHS standard.3 SI = 180AD2 Features Fast switching Low o
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FBM85N80B | FBM85N80P | FBM80N70B | FBM80N70P | N6005D | N6005B | N6005 | IN6005 | ID120N10ZR | I80N06 | I740 | I640 | I630 | I50N06 | I25N10 | I20N50
Popular searches
bc548 pinout | bdw94c | bd140 transistor | 2n2222a datasheet | bd136 | tl431 datasheet | 2sd526 | 2n4403 transistor equivalent