ID120N10ZR Todos los transistores

 

ID120N10ZR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ID120N10ZR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 227 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1026 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET ID120N10ZR

 

Principales características: ID120N10ZR

 ..1. Size:1084K  cn wxdh
 d120n10zr fd120n10zr id120n10zr ed120n10zr.pdf pdf_icon

ID120N10ZR

D120N10ZR/FD120N10ZR /ID120N10ZR/ED120N10ZR 120A100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power MOSFETS 2 D VDS = 100V Used advanced Split Gate technology design, provided excellent RDSON and low gate charge. Which accords with RDS = 3.3m (on) (TYP) G the RoHS standard. 1 ID = 120A 3 S 2 Features Low On Resistance Low

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