ID120N10ZR datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ID120N10ZR  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1026 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO262

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для ID120N10ZR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ID120N10ZR даташит

 ..1. Size:1084K  cn wxdh
 d120n10zr fd120n10zr id120n10zr ed120n10zr.pdf pdf_icon

ID120N10ZR

D120N10ZR/FD120N10ZR /ID120N10ZR/ED120N10ZR 120A100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power MOSFETS 2 D VDS = 100V Used advanced Split Gate technology design, provided excellent RDSON and low gate charge. Which accords with RDS = 3.3m (on) (TYP) G the RoHS standard. 1 ID = 120A 3 S 2 Features Low On Resistance Low

Другие IGBT... I110N04, I20N50, I25N10, I50N06, I630, I640, I740, I80N06, 12N60, IN6005, N6005, N6005B, N6005D, FBM80N70P, FBM80N70B, FBM85N80P, FBM85N80B