Справочник MOSFET. ID120N10ZR

 

ID120N10ZR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ID120N10ZR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 117 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1026 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для ID120N10ZR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ID120N10ZR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1084K  cn wxdh
 d120n10zr fd120n10zr id120n10zr ed120n10zr.pdf pdf_icon

ID120N10ZR

D120N10ZR/FD120N10ZR/ID120N10ZR/ED120N10ZR120A100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power MOSFETS2 DVDS = 100VUsed advanced Split Gate technology design, providedexcellent RDSON and low gate charge. Which accords withRDS = 3.3m(on) (TYP)Gthe RoHS standard.1ID = 120A3 S2 Features Low On Resistance Low

Другие MOSFET... I110N04 , I20N50 , I25N10 , I50N06 , I630 , I640 , I740 , I80N06 , 4N60 , IN6005 , N6005 , N6005B , N6005D , FBM80N70P , FBM80N70B , FBM85N80P , FBM85N80B .

 

 
Back to Top

 


 
.