Справочник MOSFET. ID120N10ZR

 

ID120N10ZR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ID120N10ZR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 117 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1026 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для ID120N10ZR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ID120N10ZR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1084K  cn wxdh
 d120n10zr fd120n10zr id120n10zr ed120n10zr.pdf pdf_icon

ID120N10ZR

D120N10ZR/FD120N10ZR/ID120N10ZR/ED120N10ZR120A100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power MOSFETS2 DVDS = 100VUsed advanced Split Gate technology design, providedexcellent RDSON and low gate charge. Which accords withRDS = 3.3m(on) (TYP)Gthe RoHS standard.1ID = 120A3 S2 Features Low On Resistance Low

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.