IN6005 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IN6005
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 220 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1624 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm
Paquete / Cubierta: TO262
Búsqueda de reemplazo de IN6005 MOSFET
IN6005 Datasheet (PDF)
n6005 fn6005 in6005 en6005 n6005d n6005b.pdf

N6005/FN6005/IN6005EN6005/N6005D/N6005B180A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 60VDSSadvanced Splite gate technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords with GR = 2.2mDS(on) (TYP)1the RoHS standard.3 SI = 180AD2 Features Fast switching Low o
Otros transistores... I20N50 , I25N10 , I50N06 , I630 , I640 , I740 , I80N06 , ID120N10ZR , IRF4905 , N6005 , N6005B , N6005D , FBM80N70P , FBM80N70B , FBM85N80P , FBM85N80B , JMSL0315AP .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP90N08NF | AP8P06S | AP4G02LI | AP4606B | AP3P06MI | AP2302AI | AP2301AI | AP220N06MP | AP15G04NF | AP10N04S | AP8G04S | AP85N03NF | AP80N06D | AP70H06NF | AP50P02DF | AP34N20P
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