IN6005 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IN6005  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 220 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1624 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm

Encapsulados: TO262

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IN6005 datasheet

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 n6005 fn6005 in6005 en6005 n6005d n6005b.pdf pdf_icon

IN6005

N6005/FN6005/IN6005 EN6005/N6005D/N6005B 180A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 60V DSS advanced Splite gate technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G R = 2.2m DS(on) (TYP) 1 the RoHS standard. 3 S I = 180A D 2 Features Fast switching Low o

Otros transistores... I20N50, I25N10, I50N06, I630, I640, I740, I80N06, ID120N10ZR, 5N65, N6005, N6005B, N6005D, FBM80N70P, FBM80N70B, FBM85N80P, FBM85N80B, JMSL0315AP