IN6005 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги IN6005. Основные параметры


   Наименование производителя: IN6005
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1624 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для IN6005

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IN6005 даташит

 ..1. Size:1196K  cn wxdh
 n6005 fn6005 in6005 en6005 n6005d n6005b.pdf pdf_icon

IN6005

N6005/FN6005/IN6005 EN6005/N6005D/N6005B 180A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 60V DSS advanced Splite gate technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G R = 2.2m DS(on) (TYP) 1 the RoHS standard. 3 S I = 180A D 2 Features Fast switching Low o

Другие MOSFET... I20N50 , I25N10 , I50N06 , I630 , I640 , I740 , I80N06 , ID120N10ZR , 5N65 , N6005 , N6005B , N6005D , FBM80N70P , FBM80N70B , FBM85N80P , FBM85N80B , JMSL0315AP .

 

 
Back to Top

 


 
.