Справочник MOSFET. IN6005

 

IN6005 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IN6005
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 67 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1624 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для IN6005

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IN6005 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1196K  cn wxdh
 n6005 fn6005 in6005 en6005 n6005d n6005b.pdf pdf_icon

IN6005

N6005/FN6005/IN6005EN6005/N6005D/N6005B180A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 60VDSSadvanced Splite gate technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords with GR = 2.2mDS(on) (TYP)1the RoHS standard.3 SI = 180AD2 Features Fast switching Low o

Другие MOSFET... I20N50 , I25N10 , I50N06 , I630 , I640 , I740 , I80N06 , ID120N10ZR , 4435 , N6005 , N6005B , N6005D , FBM80N70P , FBM80N70B , FBM85N80P , FBM85N80B , JMSL0315AP .

 

 
Back to Top

 


 
.