FBM85N80B Todos los transistores

 

FBM85N80B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FBM85N80B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 210 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 389 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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FBM85N80B Datasheet (PDF)

 6.1. Size:1487K  1
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FBM85N80B

FBM@FBM85N80P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 80V/90ARDS(ON)= 7.0 m (typ.) @ VGS=10V100% avalanche tested Reliable and RuggedSDG Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGTO-263-2LTO-263-2LTO-220FB-3LTO-220FB-3LApplicationsD Switching application Power Management for Inverter Systems.GN-Channel M

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