FBM85N80B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FBM85N80B  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 210 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 389 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: TO263

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FBM85N80B datasheet

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FBM85N80B

FBM@ FBM85N80P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 80V/90A RDS(ON)= 7.0 m (typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and Rugged S D G Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S D G TO-263-2L TO-263-2L TO-220FB-3L TO-220FB-3L Applications D Switching application Power Management for Inverter Systems. G N-Channel M

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