FBM85N80B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FBM85N80B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 389 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для FBM85N80B
FBM85N80B Datasheet (PDF)
fbm85n80.pdf

FBM@FBM85N80P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 80V/90ARDS(ON)= 7.0 m (typ.) @ VGS=10V100% avalanche tested Reliable and RuggedSDG Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGTO-263-2LTO-263-2LTO-220FB-3LTO-220FB-3LApplicationsD Switching application Power Management for Inverter Systems.GN-Channel M
Другие MOSFET... ID120N10ZR , IN6005 , N6005 , N6005B , N6005D , FBM80N70P , FBM80N70B , FBM85N80P , 2N7002 , JMSL0315AP , JMSL0315APD , JMSL0315ARD , JMSL0315AU , JMSL0315AUD , JMSL0315AV , JMSL0401AG , JMSL0401AGQ .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP90N08NF | AP8P06S | AP4G02LI | AP4606B | AP3P06MI | AP2302AI | AP2301AI | AP220N06MP | AP15G04NF | AP10N04S | AP8G04S | AP85N03NF | AP80N06D | AP70H06NF | AP50P02DF | AP34N20P
Popular searches
d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107