FBM85N80B - описание и поиск аналогов

 

FBM85N80B - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FBM85N80B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 389 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для FBM85N80B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FBM85N80B технические параметры

 6.1. Size:1487K  1
 fbm85n80.pdf pdf_icon

FBM85N80B

FBM@ FBM85N80P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 80V/90A RDS(ON)= 7.0 m (typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and Rugged S D G Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S D G TO-263-2L TO-263-2L TO-220FB-3L TO-220FB-3L Applications D Switching application Power Management for Inverter Systems. G N-Channel M

Другие MOSFET... ID120N10ZR , IN6005 , N6005 , N6005B , N6005D , FBM80N70P , FBM80N70B , FBM85N80P , AON7506 , JMSL0315AP , JMSL0315APD , JMSL0315ARD , JMSL0315AU , JMSL0315AUD , JMSL0315AV , JMSL0401AG , JMSL0401AGQ .

 

 
Back to Top

 


 
.