Справочник MOSFET. FBM85N80B

 

FBM85N80B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FBM85N80B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 86 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 389 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для FBM85N80B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FBM85N80B Datasheet (PDF)

 6.1. Size:1487K  1
 fbm85n80.pdf pdf_icon

FBM85N80B

FBM@FBM85N80P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 80V/90ARDS(ON)= 7.0 m (typ.) @ VGS=10V100% avalanche tested Reliable and RuggedSDG Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGTO-263-2LTO-263-2LTO-220FB-3LTO-220FB-3LApplicationsD Switching application Power Management for Inverter Systems.GN-Channel M

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.