JMSL0401BG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMSL0401BG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 243 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15.9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3080 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.001 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
Búsqueda de reemplazo de JMSL0401BG MOSFET
JMSL0401BG Datasheet (PDF)
jmsl0401pgq.pdf

40V, 355A, 1.1m N-channel Power SGT MOSFETJMSL0401PGQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)Parameters Value Unit Low Gate ChargeVDSS 40 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 1.6 V 100% Vds Tested ID(@VGS=10V) 355 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 0.6 m Halogen-free; RoHS-compliantRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 1.1 m AEC-Q101 QualifiedApplications
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History: IRFB3607 | IQE006NE2LM5CG
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Liste
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