Справочник MOSFET. JMSL0401BG

 

JMSL0401BG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSL0401BG
   Маркировка: SL0401B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 243 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 82 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 15.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3080 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.001 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL0401BG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:320K  jiejie micro
 jmsl0401bg.pdf pdf_icon

JMSL0401BG

 0.1. Size:370K  jiejie micro
 jmsl0401bgq.pdf pdf_icon

JMSL0401BG

 6.1. Size:320K  jiejie micro
 jmsl0401ag.pdf pdf_icon

JMSL0401BG

 6.2. Size:523K  jiejie micro
 jmsl0401pgq.pdf pdf_icon

JMSL0401BG

40V, 355A, 1.1m N-channel Power SGT MOSFETJMSL0401PGQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)Parameters Value Unit Low Gate ChargeVDSS 40 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 1.6 V 100% Vds Tested ID(@VGS=10V) 355 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 0.6 m Halogen-free; RoHS-compliantRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 1.1 m AEC-Q101 QualifiedApplications

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFP460 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top

 


 
.