JMSL0401BGQ Todos los transistores

 

JMSL0401BGQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSL0401BGQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 299 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 67 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3347 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00098 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
 

 Búsqueda de reemplazo de JMSL0401BGQ MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

JMSL0401BGQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:370K  jiejie micro
 jmsl0401bgq.pdf pdf_icon

JMSL0401BGQ

 4.1. Size:320K  jiejie micro
 jmsl0401bg.pdf pdf_icon

JMSL0401BGQ

 6.1. Size:320K  jiejie micro
 jmsl0401ag.pdf pdf_icon

JMSL0401BGQ

 6.2. Size:523K  jiejie micro
 jmsl0401pgq.pdf pdf_icon

JMSL0401BGQ

40V, 355A, 1.1m N-channel Power SGT MOSFETJMSL0401PGQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)Parameters Value Unit Low Gate ChargeVDSS 40 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 1.6 V 100% Vds Tested ID(@VGS=10V) 355 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 0.6 m Halogen-free; RoHS-compliantRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 1.1 m AEC-Q101 QualifiedApplications

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... JMSL0315APD , JMSL0315ARD , JMSL0315AU , JMSL0315AUD , JMSL0315AV , JMSL0401AG , JMSL0401AGQ , JMSL0401BG , STP80NF70 , JMSH0602AC , JMSH0602AE , JMSH0602AEQ , JMSH0602AG , JMSH0602AGQ , JMSH0602AK , JMSH0602AKQ , JMSH0602PC .

History: JMSH0606PK

 

 
Back to Top

 


 
.