JMSL0401BGQ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMSL0401BGQ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 299 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 67 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3347 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00098 Ohm
Encapsulados: PDFN5X6-8L
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JMSL0401BGQ datasheet
Otros transistores... JMSL0315APD , JMSL0315ARD , JMSL0315AU , JMSL0315AUD , JMSL0315AV , JMSL0401AG , JMSL0401AGQ , JMSL0401BG , 10N65 , JMSH0602AC , JMSH0602AE , JMSH0602AEQ , JMSH0602AG , JMSH0602AGQ , JMSH0602AK , JMSH0602AKQ , JMSH0602PC .
History: HF10N60 | ISA07N65A | ASDM30N55E | JMSH0606AGQ | SUD50N04-09H | 2SK1101-01MR | HD60N75
History: HF10N60 | ISA07N65A | ASDM30N55E | JMSH0606AGQ | SUD50N04-09H | 2SK1101-01MR | HD60N75
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MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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