JMSL0401BGQ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMSL0401BGQ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 299 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 3347 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00098 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6-8L
Аналог (замена) для JMSL0401BGQ
JMSL0401BGQ Datasheet (PDF)
jmsl0401pgq.pdf

40V, 355A, 1.1m N-channel Power SGT MOSFETJMSL0401PGQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)Parameters Value Unit Low Gate ChargeVDSS 40 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 1.6 V 100% Vds Tested ID(@VGS=10V) 355 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 0.6 m Halogen-free; RoHS-compliantRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 1.1 m AEC-Q101 QualifiedApplications
Другие MOSFET... JMSL0315APD , JMSL0315ARD , JMSL0315AU , JMSL0315AUD , JMSL0315AV , JMSL0401AG , JMSL0401AGQ , JMSL0401BG , 75N75 , JMSH0602AC , JMSH0602AE , JMSH0602AEQ , JMSH0602AG , JMSH0602AGQ , JMSH0602AK , JMSH0602AKQ , JMSH0602PC .
History: SI3473DV | 9N70 | LNH05R155 | JMSH0602PC
History: SI3473DV | 9N70 | LNH05R155 | JMSH0602PC



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent | 2n3569 | 2sd667 | 2sc1111 | bc239 transistor equivalent | 3sk41