JBL083M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JBL083M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 286 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 242 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1224 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0029 Ohm
Encapsulados: TOLL
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JBL083M datasheet
jbl083m.pdf
80V, 242A, 2.1m N-channel Power SGT MOSFET JBL083M Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 242 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.1 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management Schematic Diagram
Otros transistores... JBE102G , JBE102T , JBE102Y , JBE103T , JBE111P , JBE112Q , JBE112T , JBE113P , IRFZ46N , JBL101N , JMSH0605AGD , JMSH0605AGDQ , JMSH0606AG , JMSH0606AGQ , JMSH0606AK , JMSH0606AKQ , JMSH0606AU .
History: SWD6N80DE | SWD2N60DC
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