JBL083M Todos los transistores

 

JBL083M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JBL083M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 286 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 242 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1224 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0029 Ohm
   Paquete / Cubierta: TOLL
 

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JBL083M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1268K  jiejie micro
 jbl083m.pdf pdf_icon

JBL083M

80V, 242A, 2.1m N-channel Power SGT MOSFETJBL083MProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 80 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 242 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.1 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementSchematic Diagram

Otros transistores... JBE102G , JBE102T , JBE102Y , JBE103T , JBE111P , JBE112Q , JBE112T , JBE113P , RU7088R , JBL101N , JMSH0605AGD , JMSH0605AGDQ , JMSH0606AG , JMSH0606AGQ , JMSH0606AK , JMSH0606AKQ , JMSH0606AU .

History: 2SJ410 | AOND62930

 

 
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