JBL083M - описание и поиск аналогов

 

JBL083M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: JBL083M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 286 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 242 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1224 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm

Тип корпуса: TOLL

Аналог (замена) для JBL083M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JBL083M даташит

 ..1. Size:1268K  jiejie micro
 jbl083m.pdf pdf_icon

JBL083M

80V, 242A, 2.1m N-channel Power SGT MOSFET JBL083M Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 242 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.1 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management Schematic Diagram

Другие MOSFET... JBE102G , JBE102T , JBE102Y , JBE103T , JBE111P , JBE112Q , JBE112T , JBE113P , IRFZ46N , JBL101N , JMSH0605AGD , JMSH0605AGDQ , JMSH0606AG , JMSH0606AGQ , JMSH0606AK , JMSH0606AKQ , JMSH0606AU .

History: AP03N70I-H | G12P10K | RUE002N02 | SWB042R10ES | HY3410B | HY3410PM | RF4E110BN

 

 

 

 

↑ Back to Top
.