JBL083M - аналоги и даташиты транзистора

 

JBL083M - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JBL083M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 286 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 242 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1224 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm
   Тип корпуса: TOLL
 

 Аналог (замена) для JBL083M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JBL083M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1268K  jiejie micro
 jbl083m.pdf pdf_icon

JBL083M

80V, 242A, 2.1m N-channel Power SGT MOSFETJBL083MProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 80 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 242 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.1 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementSchematic Diagram

Другие MOSFET... JBE102G , JBE102T , JBE102Y , JBE103T , JBE111P , JBE112Q , JBE112T , JBE113P , IRFZ46N , JBL101N , JMSH0605AGD , JMSH0605AGDQ , JMSH0606AG , JMSH0606AGQ , JMSH0606AK , JMSH0606AKQ , JMSH0606AU .

History: AP20P02GH | STF9N80K5 | FQB22P10TMF085 | BSZ058N03LS | SI4890BDY-T1 | GC11N65T | P0603BDG

 

 
Back to Top

 


 
.