JMPF25N50BJ Todos los transistores

 

JMPF25N50BJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMPF25N50BJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 305 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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JMPF25N50BJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1001K  jiejie micro
 jmpf25n50bj.pdf pdf_icon

JMPF25N50BJ

JMPF25N50BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 500V, 25A Load SwitchRDS(ON)

 9.1. Size:1002K  jiejie micro
 jmpf20n60bj.pdf pdf_icon

JMPF25N50BJ

JMPF20N60BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 600V, 20A Load SwitchRDS(ON)

 9.2. Size:385K  jiejie micro
 jmpf20n65bj.pdf pdf_icon

JMPF25N50BJ

JMPF20N65BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 650V, 20A Load SwitchRDS(ON)

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History: SGO4606T | STLT19 | FDP150N10

 

 
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