JMPF25N50BJ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMPF25N50BJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 305 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для JMPF25N50BJ
JMPF25N50BJ Datasheet (PDF)
jmpf25n50bj.pdf
JMPF25N50BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 500V, 25A Load SwitchRDS(ON)
jmpf20n60bj.pdf
JMPF20N60BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 600V, 20A Load SwitchRDS(ON)
jmpf20n65bj.pdf
JMPF20N65BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 650V, 20A Load SwitchRDS(ON)
Другие MOSFET... JMSL0315AK , JMSL0303AG , JMSL0303AK , JMSL0303AU , JMSL0303TG , JMSL0303TU , JMPF20N60BJ , JMPF20N65BJ , IRFP250N , JMPF4N60BJ , JMPF4N65BJ , JMPF5N50BJ , JMPF630BJ , JMPF7N65BJ , JMPF840BJ , JMPF8N60BJ , JMPL1050AE .
History: IRF7343Q | FDP050AN06A0 | RTL035N03 | STD12N60DM2AG | 2N60F | 2SK3541M
History: IRF7343Q | FDP050AN06A0 | RTL035N03 | STD12N60DM2AG | 2N60F | 2SK3541M
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
mn2488 datasheet | c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60




