JMPF4N60BJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMPF4N60BJ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 17.7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.52 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de JMPF4N60BJ MOSFET
JMPF4N60BJ Datasheet (PDF)
jmpf4n60bj.pdf
JMPF4N60BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 600V, 4A Load SwitchRDS(ON)
jmpf4n65bj.pdf
JMPF4N65BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 650V, 4A Load SwitchRDS(ON)
Otros transistores... JMSL0303AG , JMSL0303AK , JMSL0303AU , JMSL0303TG , JMSL0303TU , JMPF20N60BJ , JMPF20N65BJ , JMPF25N50BJ , 7N65 , JMPF4N65BJ , JMPF5N50BJ , JMPF630BJ , JMPF7N65BJ , JMPF840BJ , JMPF8N60BJ , JMPL1050AE , JMPL1050AG .
History: FDMC8296 | STH7NA60FI
History: FDMC8296 | STH7NA60FI
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