JMPF4N60BJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: JMPF4N60BJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 17.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.52 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для JMPF4N60BJ
JMPF4N60BJ Datasheet (PDF)
..1. Size:1004K jiejie micro
jmpf4n60bj.pdf
jmpf4n60bj.pdf
JMPF4N60BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 600V, 4A Load SwitchRDS(ON)
7.1. Size:384K jiejie micro
jmpf4n65bj.pdf
jmpf4n65bj.pdf
JMPF4N65BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 650V, 4A Load SwitchRDS(ON)
Другие MOSFET... JMSL0303AG , JMSL0303AK , JMSL0303AU , JMSL0303TG , JMSL0303TU , JMPF20N60BJ , JMPF20N65BJ , JMPF25N50BJ , 7N65 , JMPF4N65BJ , JMPF5N50BJ , JMPF630BJ , JMPF7N65BJ , JMPF840BJ , JMPF8N60BJ , JMPL1050AE , JMPL1050AG .
History: APT1001R1BVFR | ZVN3310F | FDN357N
History: APT1001R1BVFR | ZVN3310F | FDN357N
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0604AGQ | JMSL0604AG | JMSL0603PG | JMSL0603BGQ | JMSL0603BG | JMSL0603AK | JMSL0602PG | JMSL0602MG | JMSL0602AGQ | JMSL0602AG | JMSL0601TG | JMSL0601BGQ | JMSL0601BG | JMSL0601AGQ | JMSL0601AG | JMTP330N06D
Popular searches
c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013