JMPF4N60BJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: JMPF4N60BJ
   Маркировка: F4N60BJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 14.1 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 17.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.52 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам