JMPF8N60BJ Todos los transistores

 

JMPF8N60BJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMPF8N60BJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.29 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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JMPF8N60BJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:999K  jiejie micro
 jmpf8n60bj.pdf pdf_icon

JMPF8N60BJ

JMPF8N60BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 600V, 8A Load SwitchRDS(ON)

 9.1. Size:1001K  jiejie micro
 jmpf840bj.pdf pdf_icon

JMPF8N60BJ

JMPF840BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 500V, 9A Load SwitchRDS(ON)

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