JMPF8N60BJ - описание и поиск аналогов

 

JMPF8N60BJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: JMPF8N60BJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.29 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для JMPF8N60BJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMPF8N60BJ даташит

 ..1. Size:999K  jiejie micro
jmpf8n60bj.pdfpdf_icon

JMPF8N60BJ

JMPF8N60BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 600V, 8A Load Switch RDS(ON)

 9.1. Size:1001K  jiejie micro
jmpf840bj.pdfpdf_icon

JMPF8N60BJ

JMPF840BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 500V, 9A Load Switch RDS(ON)

Другие MOSFET... JMPF20N65BJ , JMPF25N50BJ , JMPF4N60BJ , JMPF4N65BJ , JMPF5N50BJ , JMPF630BJ , JMPF7N65BJ , JMPF840BJ , IRF9540N , JMPL1050AE , JMPL1050AG , JMPL1050AGQ , JMPL1050AK , JMPL1050AKQ , JMPL1050AP , JMPL1050APD , JMPL1050AU .

History: BSZ060NE2LS | NTD4963N-1G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.