JMSH2010PCQ Todos los transistores

 

JMSH2010PCQ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMSH2010PCQ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 304 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 455 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0112 Ohm

Encapsulados: TO220

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JMSH2010PCQ datasheet

 ..1. Size:1291K  jiejie micro
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JMSH2010PCQ

200V, 100A, 8.6m N-channel Power Strong MOSFET JMSH2010PCQ Product Summary Features Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate Charge VDSS 200 V High Current Carrying Capability VGS(th)_Typ 3.0 V Fully Characterized UIS and SOA ID(@VGS=10V) 100 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 8.6 mW AEC-Q101 Qualified Application

 4.1. Size:1257K  jiejie micro
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JMSH2010PCQ

200V, 96A, 9.3m N-channel Power SGT MOSFET JMSH2010PC Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 200 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 96 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 9.3 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-2

 5.1. Size:1343K  jiejie micro
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JMSH2010PCQ

200V, 109A, 9.1m N-channel Power SGT MOSFET JMSH2010PE Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 200 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 109 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 9.1 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO

 5.2. Size:555K  jiejie micro
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JMSH2010PCQ

JMSH2010PTL 200V 7.2mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 200 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 3.0 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 119 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 7.2 mW Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Management in Computing, CE, I

Otros transistores... JMPL1050PG , JMPL1050PK , JMPL1050PU , JMSH2010BC , JMSH2010BE , JMSH2010BS , JMSH2010BTL , JMSH2010PC , NCEP15T14 , JMSH2010PE , JMSH2010PS , JMSH2010PTL , JMSL0301AG , JMSL0301TG , JMSL0302AK , JMSL0302BU , JMSL0302DG .

History: DMP6185SK3 | AOTF4185 | AOTF4126 | CR4N65A4K | SDF340 | AP3N2R4MT | H2302A

 

 

 

 

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