JMH70R430AF Todos los transistores

 

JMH70R430AF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMH70R430AF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.42 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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JMH70R430AF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:625K  jiejie micro
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JMH70R430AF

JMH70R430AF700V 350mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS700 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 11 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)350 mW Eoss@400V3.6 mJ Pb-free Lead Plating Halogen-f

 4.1. Size:368K  jiejie micro
 jmh70r430ak.pdf pdf_icon

JMH70R430AF

JMH70R430AK700V 352m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS700 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 12 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)352 m Eoss@400V3.6 J Pb-free Lead Plating Hal

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