JMH70R430AF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMH70R430AF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMH70R430AF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMH70R430AF даташит

 ..1. Size:625K  jiejie micro
 jmh70r430af.pdf pdf_icon

JMH70R430AF

JMH70R430AF 700V 350mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 700 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 11 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 350 mW Eoss@400V 3.6 mJ Pb-free Lead Plating Halogen-f

 4.1. Size:368K  jiejie micro
 jmh70r430ak.pdf pdf_icon

JMH70R430AF

JMH70R430AK 700V 352m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 700 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 12 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 352 m Eoss@400V 3.6 J Pb-free Lead Plating Hal

Другие IGBT... JMH65R600MF, JMH65R600MK, JMH65R640AK, JMH65R980ACFP, JMH65R980AF, JMH65R980AK, JMH65R980AKQ, JMH65R980APLN, IRFB31N20D, JMH70R430AK, JBE083M, JBE083NS, JBE084M, JMSH0803AGS, JMSH0803MC, JMSH0803ME, JMSH0803MG