Справочник MOSFET. JMH70R430AF

 

JMH70R430AF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMH70R430AF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для JMH70R430AF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMH70R430AF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:625K  jiejie micro
 jmh70r430af.pdf pdf_icon

JMH70R430AF

JMH70R430AF700V 350mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS700 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 11 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)350 mW Eoss@400V3.6 mJ Pb-free Lead Plating Halogen-f

 4.1. Size:368K  jiejie micro
 jmh70r430ak.pdf pdf_icon

JMH70R430AF

JMH70R430AK700V 352m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS700 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 12 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)352 m Eoss@400V3.6 J Pb-free Lead Plating Hal

Другие MOSFET... JMH65R600MF , JMH65R600MK , JMH65R640AK , JMH65R980ACFP , JMH65R980AF , JMH65R980AK , JMH65R980AKQ , JMH65R980APLN , IRF730 , JMH70R430AK , JBE083M , JBE083NS , JBE084M , , , , .

History: LNG04R035B | NDS9405 | ME2324D | IXTH12N70X2 | IPD70R900P7S | STP140N6F7 | IRF7473TR

 

 
Back to Top

 


 
.