JBE084M Todos los transistores

 

JBE084M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JBE084M

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 166 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 136 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1048 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0049 Ohm

Encapsulados: TO263

 Búsqueda de reemplazo de JBE084M MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

JBE084M datasheet

 ..1. Size:566K  jiejie micro
 jbe084m.pdf pdf_icon

JBE084M

 9.1. Size:1298K  jiejie micro
 jbe083ns.pdf pdf_icon

JBE084M

80V, 133A, 5.8m N-channel Power SGT MOSFET JBE083NS Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 80 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 133 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 5.8 mW Applications Load Switch PWM Application Power Managem

 9.2. Size:1352K  jiejie micro
 jbe083m.pdf pdf_icon

JBE084M

80V, 199A, 2.7m N-channel Power SGT MOSFET JBE083M Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 199 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.7 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-263-

Otros transistores... JMH65R980AF , JMH65R980AK , JMH65R980AKQ , JMH65R980APLN , JMH70R430AF , JMH70R430AK , JBE083M , JBE083NS , IRFZ48N , JMSH0803AGS , JMSH0803MC , JMSH0803ME , JMSH0803MG , JMSH0803MTL , JMSH0803NGS , JMSH0803PC , JMSH0804NC .

History: 4N65L-TF1-T | JCS10N60BT | IRF7342QPBF | BML6401 | SUD40N02-3M3P | BF999 | SUD09P10-195

 

 

 

 

↑ Back to Top
.